集成电路工艺技术教材(PPT 67页)
所属分类：工艺技术
文件大小：3949 KB
下载要求：10 学币或VIP
点击下载
资料简介：
引言
离子注入的优点
目录
射程
LSS理论
LSS理论－核阻止本领和弹性碰撞
核阻止本领
LSS理论－电子阻止本领
两种能量损失示意图
常见硅中杂质的能量损失
磷砷锑投影射程
硼投影射程
SiO2中投影射程
光刻胶中投影射程
入射粒子在非晶靶中浓度分布
高斯分布
高斯分布特点和应用
双高斯分布
Pearson- IV分布
硼离子注入分布
横向分布
沟道效应 － 单晶靶中的射程分布
能量对沟道效应影响
剂量对沟道效应影响
取向对沟道效应影响
温度对沟道效应影响
离子注入损伤－过程
离子注入损伤
离子注入损伤－临界剂量
损伤的去除－退火
退火效应－硼
退火效应－硼，磷，砷比较
退火温度－和剂量的关系
快速热退火(RTA)
退火技术比较
离子注入机
离子注入机结构
离子源
注入材料形态选择
质量分析系统
加速聚焦系统
扫描系统
电扫描偏转
电扫描
离子注入的应用
离子注入的应用(SOI)
SOI MOSFET
离子注入工艺模拟(SUPREM)
离子注入二维工艺模拟(ATHENA)
..............................
精品资料网 m.cnshu.cn
Copyright © 2004- 粤ICP备10098620号-1
