半导体制造工艺之硅的氧化概述(PPT 62页)
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资料简介：
绪论
SiO2的结构和性质
SiO2的掩蔽作用
硅的热氧化生长动力学
决定氧化速度常数和影响氧化速率的各种因素
热氧化过程中的杂质再分布
初始氧化阶段以及薄氧化层的生长
Si- SiO2 界面特性
Introduction
SiO2的作用
2.1.1 SiO2的结构
结晶形SiO2的结构
无定形SiO2的结构
SiO2结构在制备工艺中的应用
2.1.2 SiO2的主要性质（1）
SiO2的主要性质（2）
SiO2的主要性质（3）
2.2 SiO2的掩蔽作用
杂质在SiO2中的存在形式
2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数（1）
杂质在SiO2中的扩散系数（2）
2.2.3 掩蔽层厚度的确定（1）
掩蔽层厚度的确定（2）
图2.5 各种温度下能掩蔽磷和硼所需SiO2厚度与杂质在硅中达到扩散深度所需时间的关系
2.3 硅的热氧化生长动力学
硅的热氧化生长（1）
硅的热氧化生长（2）
热氧化法
干氧氧化
水汽氧化
湿氧氧化
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