微电子器件工艺课程设计(DOC 33页)
所属分类：工艺技术
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资料简介：
广东工业大学课程设计任务书....2
一、设计任务及目标....5
二、 晶体管的主要设计步骤和原则....5
2.1.晶体管设计一般步骤....5
2.2．晶体管设计的基本原则....6
三、晶体管物理参数设计....7
3.1. 各区掺杂浓度及相关参数的计算....7
3.2.集电区厚度Wc的选择....10
3.3. 基区宽度WB....10
3.4.扩散结深....13
3.5.杂质表面浓度....14
3.6.芯片厚度和质量....14
3.7. 晶体管的横向设计、结构参数的选择....14
四、工艺参数设计....16
4.1. 工艺参数计算思路....16
4.2. 基区相关参数的计算过程....16
4.3.发射区相关参数的计算过程....18
4.4. 氧化时间的计算....20
五、设计参数总结....21
六、 工艺流程图....22
七、 生产工艺说明....24
7.1 硅片清洗....24
7.2 氧化工艺....26
7.3. 光刻工艺....27
7.4 磷扩散工艺（基区扩散）....29
7.5 硼扩散工艺(发射区扩散)....31
八.心得体会....32
九.参考文献....33
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