MOS器件物理--转移特性曲线(ppt 29页)
所属分类：工艺技术
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资料简介：
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一、 转移特性曲线
二、 MOS管的直流导通电阻
三、 MOS管的最高工作频率
四、 饱和区MOS管的跨导与导纳
五、 MOS管的最高工作频率
六、 二阶效应
七、 衬底偏置效应（体效应）
八、 沟道调制效应
九、 亚阈值效应
十、 温度效应
一、 转移特性曲线
在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。
在实际应用中，生产厂商经常为设计者提供的参数中，经常给出的是在零电流下的开启电压
注意 ，Vth0为无衬偏时的开启电压，而 是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压，实际上为零电流的栅电压
从物理意义上而言， 为沟道刚反型时的栅电压，仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关；而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。
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