采用混合模式晶体管构成低温BiCMOS集成电路(pdf 6页)

采用混合模式晶体管构成低温BiCMOS集成电路目录：
八十年代以来CMO S 已成为发展VL S I 所采用的主要技术. 人们为了进一步提高集成电路速度和减少功耗, 利用MO SFET 低温下沟道载流子迁移率增加导致速度提高等特性[ 1 ]研制了液氮温度工作的CMO S 集成电路即低温CMO S 集成电路. 人们也注意到影响VL S I 速度提高的另一个因素, 即随着集成度的提高, 电路中的引线加长负载增多, 而MO SFET 比双极晶体管跨导小, 因此驱动能力差成为影响速度的重要因素, 所以人们试图象发展室温B iCMO S 那样, 用双极晶体管和CMO S 结合构成低温B iCMO S 集成电路, 以进一步提高电路的速度, 克服传统B iCMO S 电路不适于在低温低电压工作等缺点[ 2, 3 ]. 普通结构的双极晶体管具有正的温度系数, 电流增益随温度下降而减少, 在液氮温度下已无法正常工作. 为了解决这个问题我们先后试制了三区低掺杂浓度晶体管[ 4 ]、异质结晶体管和BMHM T , 最后采用BMHM T 构成了低温B iCMO S 集成电路.
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