半导体研究之内存产业(doc 13页)

资料简介：

半导体研究之内存产业内容提要：
DRAM产业为高度资金密集产业，8吋晶圆厂设置约10亿美元，进入12吋晶圆厂时代，一座晶圆厂设置更高达25亿美元，因此DRAM厂商资本支出对12吋厂投资均相当谨慎。根据集邦科技统计资料，某年全球DRAM厂商资本资出金额为110亿美元，年成长率29%，就金额及成长率而言已接近某年时的水平。由于此次资本支出重点均摆在12吋晶圆厂设置，推算某年下半年至某年上半年将是另一波12吋厂新产能开出时间点，因此目前有多家研究机构对某年及某年整体DRAM市场规模成长率看法趋向保守，认为成长率均难超越某年高达4成之成长。
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Nand Flash应用市场崛起，排挤8吋DRAM厂产能超出预期，同时带领DRAM厂商进入消费及通讯领域，减缓大起大落之产业特性,随着12吋厂产能陆续开出，成本竞争优势与8吋厂逐渐明显拉开，迫使8吋厂必须积极寻找其它出路。此时刚好Nand Flash市场快速崛起，加上制程与DRAM类似，且生产毛利率远高于DRAM，吸引DRAM大厂将产能转去生产Nand Flash动机。韩国Samsung为确保龙头地位，已将四座8吋厂转去生产Nand Flash，其它如Hynix、Infineon及Micron亦陆续将8吋厂转去生产Nand Flash。
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DRAM目前正进行DDRII取代DDR世代交替，由于DDRII前段制程须在12吋厂采0.11微米制程生产，且后段封装采BGA封装及T5593测试机台测试，在整体成本居高不下，因此世代交替速度似乎不如原先预期乐观。然对生产者而言，由于DDRII毛利率高于DDR，再度吸引韩国Samsung对此一市场兴趣，预计于某年第四季拉高DDRII投片量占所有DRAM产能3成。由于DDRII初期生产仍须面临良率较低问题，因此Samsung拉高DDRII投片对DRAM供给将因此受到抑制，对PC出货旺季过后之DRAM报价为相当正面讯息。

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