半导体的基础知识技术教案(DOC 29页)
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资料简介：
1.判别正负极性
1.PN结外加正向电压
1.放大系数
1.电路组成
1.结构特点：发射区中掺杂浓度高。基区必须很薄。基电结的面积应很大
1.输入特性曲线Inputcharacteristcurves
1三极管的非线性：在输入特性的弯曲部分和输出特性间距的不均匀部分。
1半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。
1单向桥式整流电路
1发射区向基区注入载流子
1工作点Q是放大器的工作状态在特性曲线上的位置，Q即IB,IC,UBE的值。
1影响反向饱和电流ICBO：因为半导体中的热平衡电子—空穴对数目随温度变化。
1放大电路功能：利用BJT的电流控制作用把微弱的电信号增强到所要求的数值。
1最大整流电流IFM它是二极管允许通过的最大正向平均电流。
1构成：
1理想模型：当二极管正向电压和正向电阻与外接电路的等
效电阻相比均可忽略时，这样的二极管可称为理想二极管。
1稳压二极管的主要参数
1半导体中有两种载流子
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