CMOS工艺流程技术介绍(PPT 48页)

工艺集成
集成电路中的隔离
MOS集成电路中的隔离
增加场区二氧化硅的厚度
双极集成电路隔离
CMOS制作步骤
1.双阱工艺
2.浅槽隔离工艺
3.多晶硅栅结构
4.轻掺杂漏注入工艺
源、漏注入工艺
7.接触孔的形成
8.局部互连工艺
9.通孔1和钨塞1的形成
10.第一层金属（金属1）互连的形成
通孔2的形成
钨塞2的形成
12.第二层金属互连的形成
13. 制作第三层金属直到制作压点和合金

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