双极集成电路器件工艺课件(PPT 124页)
所属分类：工艺技术
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资料简介：
2.1双极型集成电路的制造工艺
2.2集成双极晶体管的寄生效应
第2章双极集成电路器件工艺
第一块平面工艺集成电路专利
2.1双极型集成电路的基本制造工艺
（1）典型PN结隔离工艺流程
（1）典型PN结隔离工艺流程（续1）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续2）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续3）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续4）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续5）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续6）
（2）典型PN结隔离工艺 光刻掩膜版汇总
（3）外延层电极的引出
（4）埋层的作用
集成NPN晶体管常用图形及特点 （1）单基极条形
集成NPN晶体管常用图形及特点 （2）双基极条形
集成NPN晶体管常用图形及特点 （3）双基极双集电极形
集成NPN晶体管常用图形及特点 （4）双射极双集电极形
集成NPN晶体管常用图形及特点 （5）马蹄形
集成NPN晶体管常用图形及特点 （6）梳状
电流分配与控制
提高NPN管β值的途径
双磷扩散结构
双硼扩散结构
超增益管的特点
AlGaAs/GaAs基异质结双极性晶体管
第3章MOS集成电路的元件形成及其寄生效应
3.1PMOS工艺 早期的铝栅工艺
1970年前，标准的MOS工艺是铝栅P沟道。
铝栅PMOS工艺特点：
l铝栅，栅长为20m。
lN型衬底，p沟道。
l氧化层厚1500Å。
l电源电压为-12V。
l速度低，最小门延迟约为80100ns。
l集成度低，只能制作寄存器等中规模集成电路。
Al栅MOS工艺缺点
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