集成电路制造技术(PPT 67页)
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光刻工艺流程
光源
光刻胶
分辨率
湿法刻蚀
干法刻蚀
集成电路制造技术第八章 光刻与刻蚀工艺
主要内容
第八章 光刻与刻蚀工艺
掩模版
Clean Room净化间
1)清洗硅片 Wafer Clean
5、对准 Alignment
9、坚膜 Hard Bake
光刻1-清洗
光刻3-涂胶 Spin Coating
光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系
光刻4-前烘Soft Bake
5-6、对准与曝光 Alignment and Exposure
光刻7-曝光后烘焙(后烘,PEB)
光刻8-显影(Development)
光刻9-坚膜(Hard Bake)
光刻10-图形检测(Pattern Inspection)
8.1.2 分辨率
表1 影响光刻工艺效果的一些参数
1)数值孔径NA (Numerical Aperture)
8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR)
负胶Negative hotoresists:
1)聚合物材料
3)溶剂
1)紫外-汞灯
接触式曝光
分步重复投影光刻机--Stepper
8.1.6 掩模版(光刻版)Mask
基本概念
1)栅掩膜对准 Gate Mask Alignment
5)刻蚀多晶 Etch Polysilicon
8.2.1 湿法刻蚀
Si的湿法刻蚀
Si3N4的湿法腐蚀
RIE试验
SiO2和Si的干法刻蚀
Si3N4的干法刻蚀
多晶硅与金属硅化物的干法刻蚀
铝及铝合金的干法腐蚀
8.2.3 干法刻蚀和湿法刻蚀的比较
8.2.4 刻蚀总结
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