N阱CMOS工艺课件(PPT 36页)
所属分类：工艺流程
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资料简介：
N阱CMOS工艺
① 初始材料
② 外延生长
③ N阱扩散
③ N阱注入
曝 光
氧化层的刻蚀
N阱注入
形成N阱
④ 场区LOCOS （局部氧化）
氮化硅的刻蚀
沟道终止注入
场氧的生长
去除氮化硅
⑤ 阈值调整
采用一步调节方法
重新生长二氧化硅（栅氧）
⑥ 多晶硅淀积和光刻
刻蚀多晶硅
⑦ 源/漏注入
P+离子注入
N+离子注入
⑧ 接触、金属化及保护层
生长磷硅玻璃PSG
光刻接触孔
刻 铝
刻铝
NMOS Transistors
PMOS晶体管
衬底PNP管
多晶电阻
NSD和PSD电阻
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