CMOS集成电路工艺流程(PPT 54页)

多晶硅栅CMOS工艺流程
可用器件
工艺扩展
第三章CMOS集成电路工艺流程
提纲
衬底材料
N阱扩散
反型槽
沟道终止注入
LOCOS工艺和虚拟栅氧化
阈值调整和栅氧化层生长
多晶硅淀积和光刻
源/漏注入
接触、金属化和保护层
多晶硅栅CMOS晶圆剖面
典型CMOS工艺流程图
NMOS晶体管
PMOS晶体管
衬底PNP管
多晶硅电阻
NSD/PSD电阻
MOS电容
浅槽隔离
轻掺杂漏区晶体管 (LDD)
扩展漏区高压晶体管
本章结束
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