半导体制造技术--离子注入工艺(PPT 134页)
所属分类：工艺技术
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资料简介：
至少列出三种最常使用的掺杂物
辨认出至少三种掺杂区域
描述离子注入的优点
描述离子注入机的主要部分
解释通道效应
离子种类和离子能量的关系
解释后注入退火
辨认安全上的危害
Chapter 8 离子注入
目标
离子注入
晶圆制造流程图
简介: 掺杂半导体
简介
掺杂半导体：扩散
沉积掺杂氧化层
氧化
驱入
剥除和清洗
掺杂半导体：离子注入
栅极的对准失误
离子注入：磷
离子注入和扩散的比较
离子注入控制
离子注入的应用
其他的应用
阻滞机制
两种阻滞机制
阻滞功率与离子速度
离子轨迹和投影射程
投影射程
硅中掺杂离子的投影射程
200keV掺杂离子所需的阻挡层厚度
注入制程：通道效应
通道效应
碰撞后的通道效应
阴影效应
问与答
损害制程
由单一离子造成的损伤
注入制程：损伤
注入制程：退火
热退火
快速加热退火(RTA)
快速加热步骤和高温炉退火
离子注入：硬件
离子注入机
注入制程
离子注入：气体系统
离子注入：电机系统
离子注入：真空系统
离子注入：控制系统
离子注入：射束线系统
射束线系统
离子注入机：离子源
离子源
射频离子源
微波离子源
离子注入：萃取
萃取系统示意图
离子注入：质谱仪
离子布质机的质谱仪
BF3 电浆中的离子
离子注入：后段加速
离子注入：电浆泛注系统
后加速系统
离子射束电流控制
离子束轨迹弯曲
电荷中性化系统
带电效应
电压泛注系统
电子枪
晶圆处理器
旋转轮式晶圆处理系统
旋转盘式晶圆处理系统
单晶圆扫描系统
离子注入：射束阻挡器
离子注入：终端分析仪
离子阻挡器示意图
离子注入制程
CMOS离子注入规范
注入制程：井区注入
临界电压(VT)调整的注入说明
离子注入：低掺杂漏极(LDD)注入
离子注入：源极/漏极注入
制程争点
晶圆带电
晶圆带电监测
天线比例
粒子污染物
粒子污染物的效应
元素污染
制程评估
四点探针
四点探针测量
热波系统
光学量测系统(OMS)
离子注入：安全性
离子注入：化学安全
离子注入：电磁安全
离子注入：辐射安全
离子注入：负产品的腐蚀性
离子注入：机械安全
技术的趋势
超浅型接面(USJ)
软误差
a-粒子造成的电子—电洞对
SOI基片上的CMOS组件
形成硅覆盖绝缘层结构
氧离子注入
高温退火
电浆浸置型离子注入
深沟槽式电容器
电子回旋共振电浆浸置型离子注入系统
离子注入概要
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