半导体制造工艺技术(PPT 68页)

淀积
概述
目标
MSI时代nMOS晶体管的各层膜
引言
ULSI硅片上的多层金属化
芯片中的金属层
固态薄膜
薄膜特性
膜对台阶的覆盖
高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔），深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图)
高的深宽比间隙
薄膜生长的步骤
膜淀积技术
化学气相淀积
化学气相淀积的设备
CVD化学过程
CVD反应
CVD传输和反应步骤图
CVD中的气流
硅片表面的气流
CVD淀积系统
CVD反应器类型
各种类型CVD反应器及其主要特点
连续加工的APCVD反应炉
APCVDTEOS-O3改善后的台阶覆盖
PSG回流后平坦化的表面
LPCVD
硅片表面的边界层
LPCVDReactionChamberforDepositionofOxides,Nitrides,orPolysilicon
用TEOSLPCVD淀积氧化硅
KeyReasonsfortheUseofDopedPolysiliconintheGateStructure
DopedPolysiliconasaGateelectrode
等离子体辅助CVD
在等离子体辅助CVD中膜的形成
GeneralSchematicofPECVDforDepositionofOxides,Nitrides,SiliconOxynitrideorTungsten
用LPCVD和PECVD氮化硅的性质
高密度等离子体淀积腔
淀积－刻蚀－淀积工艺
HDPCVD工艺的五个步骤
在涡轮泵出口放置硅片的HDPCVD
介质及其性能
介质间隙填充的三个过程
ULSI互连中可能的低K值ILD材料
互连延迟(RC)与特征尺寸的关系(m)
芯片性能
总互连线电容
低-k值绝缘介质要求
DRAM叠层电容的示意图
浅槽隔离
旋涂绝缘介质
用Spin-On-Glass填充间隙
HSQ低-k值绝缘介质工艺参数
外延
硅片上外延生长硅
气相外延示意图
硅气相外延炉
CVD质量测量ILD中钥匙孔的效果（金属台阶覆盖上） 
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