SU-8胶光刻工艺参数优化探讨(pdf 7页)

SU-8胶光刻工艺参数优化探讨内容提要：
对基于SU一8胶的UV—LIGA技术进行了工艺优化，研究了光源波长和曝光时间对SU一8胶成型的影响。结果表明，光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加，有一个极小值；侧壁角度先增加后减少，有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数，可以获得侧壁角度为90．64 o正角的300 ttm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89．98 o近似垂直的500 btm厚光刻胶微结构。

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