基本光刻工艺之从曝光到最终检验(PPT 37页)
所属分类：工艺技术
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资料简介：
概述
在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。
还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。
9.1显影
晶园经过曝光后,器件或电路的图形被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上。
通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图形显影。
通过显影完成掩膜版图形到光刻胶上的转移（如图所示）。
不良显影：不完全显影显影不足严重过显影。
第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－2－
第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－3－
负光刻胶显影
当负性光刻胶经过曝光后，它会发生聚合，在聚合与未聚合之间有足够高的分辨率，
从而在显影过程中聚合的区域只会失去很小部分光刻胶，
而未聚合的区域则在显影过程中分解，但由于两个区域之间总是存在过渡
区，过渡区是部分聚合的
光刻胶，所以，显影结束
后必须及时冲洗，使显影
液很快稀释，保证过渡区
不被显影，使显影后的图
形得以完整。
第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－4－
正光刻胶显影
对于正性光刻胶，聚合与未聚合区域的溶解率约为1:
4。这意味着在显影中总会从聚合的区域失去一些光刻胶。
使用过渡的显影液或显影时间过长都会导致光刻胶太薄而不能使用。
通常要求不高的正光刻胶显影使用减－水溶液和非离子溶液，
对制造敏感电路使用叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液。
正性光刻胶的显影工艺比负性光刻胶更为敏感，影响的因素有：
软烘焙时间和温度、曝光度、显影液浓度、时间、
温度以及显影方法。显影工艺参数由所有变量的测试来决定。
图9.4显示了一个特定的工艺参数对线宽的影响。
第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－5－
图9.4显影剂温度和曝光关系与线宽变化的比较
第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－6－
显影方式
显影方式分为：湿法显影干法（等离子）显影
湿法显影沉浸喷射混凝
沉浸显影
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