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晶硅太阳能电池加工工艺课件(PPT 87页)

所属分类:工艺技术

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资料简介:

1 PECVD相关定义
2 PECVD减反射膜的作用
3 PECVD原理
4 减反射膜的种类及特点
PECVD --等离子增强的化学气相沉积
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
等离子体--气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,
部分外层电子脱离原子核,形成电子、
正离子和中性粒子混合组成的一种形态,这种形态就称为等离子态。
为什么要做减反射膜
硅片经扩散到腐蚀周边工序后,已具备光电转换能力。但是,
由于光在硅表面的反射使光损失约1/3,即使经绒面处理的硅表面,
损失仍约为11%。为减少反射损失,根据薄膜干涉原理,
在电池表面制作一层减反射膜,使电池短路电流和输出增加。
SiN膜的作用
减反射作用
照射到硅片上的光有相当一部分会被反射掉。
如果在硅表面制备一层或多层薄膜,利用薄膜干涉原理,
可以使光的反射大为减少,这种膜称为太阳电池的减反射膜ARC(antireflection coating)。
制备减反射膜后,电池的短路电流会有很大增加,转换效率相应也有很大提高。
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