电力电子技术基础参考资料(doc 10页)
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1. 独立思考以下各小题,分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。
(1)( )是半控器件,( )和( )是全控器件。
(2)( )和( )所需驱动电路的静态功耗接近于0。
(3)如果希望导通电流为15A时,器件主回路的导通压降小于220mV,则应选用( )作为主开关器件。
(4)除功率MOSFET外,( )的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。
(5)( )在导通电流为500A条件下,为了将它关断,它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。
(6)( )的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。
(7)如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路,将450V直流电源升高为650V直流电源,最大输出电流为200A,斩波频率为15KHz,则应选用( )作为主开关器件。
(8)( )如果已经导通,在主回路电流大于10A条件下,即使控制信号变为负值,它也不能关断。
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