新材料的研究及其开发(doc 6页)
所属分类：建筑材料
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资料简介：
新材料的研究及其开发内容提要：
纳米材料科学技术：
但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量存在，并将有所发展。
在绝缘衬底上的硅（SOI，SiOnInsulator):功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于便携式通信系统，既耐高温又抗辐照。
集成系统（IS，IntegratedSystem)：在单个芯片上完成整系统的功能，集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片(SystemonaChip)。
集成电路的总发展趋势：高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。为了达到上述目标，有赖于外延技术（VPE，LPE，MOCVD及MBE）的发展，同时对硅单晶的要求也愈来愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。
光纤发展阶段及所需材料
光纤材料:
石英玻璃：SiO2、SiO2-GeO2、SiO2-B2O3-F
多组分玻璃：SiO2-GaO-Na2O、SiO2-B2O3¨CNa2O
红外玻璃：重金属氧化物、卤化物
掺稀土元素玻璃：Er、Nd、¡
多模只适于小容量近距离（40Km,100Mbps)
单模可传输调制后的信号≥40Gbps到200Km，
而不需放大。
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