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PECVD等离子的基本原理(ppt 30页)

所属分类:能源化工

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资料简介:

PECVD等离子的基本原理目录:
1、PECVD的原理
2、PECVD的原理及作用
3、PECVD设备结构

 

PECVD等离子的基本原理内容简介:
    等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样的物质就会变成自由运动并由相互作用的电子、正离子和中性粒子组成混合物的一种形态,这种形态就称为等离子态即第四态.
    工作原理:Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下,等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨气的比率,来得到不同的折射指数。在沉积工艺中,伴有大量的氢原子和氢离子的产生,使得晶片的氢钝化性十分良好。
    技术原理:是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。
   Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化,其理想的厚度是75—80nm之间,表面呈现的颜色是深蓝色,Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之间为最佳,与酒精的折射率相乎,通常用酒精来测其折射率。Si3N4的优点:优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能(厚度折射率匹配)低温工艺(有效降低成本)反应生成的H离子对硅片表面进行钝化.


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